據(jù)海門(mén)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)官微消息，近日，海門(mén)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)年產(chǎn)60萬(wàn)平方米先進(jìn)封裝基板用高性能積層膜智能工廠建設(shè)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。據(jù)悉，該項(xiàng)目由江蘇興南創(chuàng)芯材料技術(shù)有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目建成后，擁有2...
據(jù)“智美昆高新”公眾號(hào)消息，日前，中科長(zhǎng)光精拓智能裝備（蘇州）有限公司與蘇州大學(xué)共建的“半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)封測(cè)裝備聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”正式簽約落地昆山高新區(qū)。據(jù)悉，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室由中科長(zhǎng)光精拓與蘇州大學(xué)數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)...
2025年第二季度全球硅晶圓出貨量達(dá)到3327百萬(wàn)平方英寸（million square inches, MSI），與2024年同期的3035百萬(wàn)平方英寸相比增長(zhǎng)9.6%。環(huán)比來(lái)看，出貨量較今年第一季度的2896百萬(wàn)平方英寸增長(zhǎng)14.9%，顯示出memory...
近來(lái)，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個(gè)間距如何理解呢？...
當(dāng)前，金剛石的市場(chǎng)應(yīng)用大致可分成三個(gè)方向，一是可以用作裝飾鉆石，相關(guān)用途人們較為熟悉；二是可以做成金剛石膜，這是一種優(yōu)質(zhì)的散熱材料；三是經(jīng)摻雜以后形成半導(dǎo)體材料。這一應(yīng)用領(lǐng)域尚處于實(shí)驗(yàn)階段，但其發(fā)...
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